Podczas Flash Memory Summit 2023 południowokoreańskie SK hynix zaprezentowało swoją pamięć 4D TLC NAND nowej generacji. Jest znacznie szybciej i pojemniej.
Nowe pamięci SK hynix to 321-warstwowe rozwiązanie 3D TLC NAND, nazywane przez producenta 4D TLC NAND. Pokazane kości mają pojemność 1 Tb (128 GB). SK Hynix twierdzi, że nowy układ cechuje się poprawą wydajności o 59% w porównaniu ze starszymi, 238-warstwowymi pamięciami 512 Gb. Firma nie ujawniła tego w jaki sposób uzyskała pamięć NAND o aż 321 warstwach, ani przybliżonych kosztów na bit w porównaniu do układów poprzedniej generacji.
Masowa produkcja rozpocznie się w 2025 roku
Eksperci ze środowiska uważają, że firma użyła techniki układania warstw (string stacking), która umieszcza jeden lub więcej układów NAND 3D na sobie i łączy je. Pozostaje jednak pytanie, czy nowe układy NAND 3D zostały umieszczone na sobie tylko w dwóch warstwach, czy jednak ich ilość została zwiększona.
Z kolejnym przełomem w celu pokonania ograniczeń układania warstw, SK hynix otworzy erę NAND o ponad 300 warstwach i będzie liderem na rynku. […] Dzięki terminowemu wprowadzeniu wydajnej pamięci NAND o dużej pojemności, będziemy dążyć do spełnienia wymagań ery sztucznej inteligencji i nadal inwestować w innowacje.
Jungdal Choi, kierownik działu rozwoju NAND w SK Hynix
321-warstwowe kości 3D TLC NAND mają trafić do SSD PCIe 5.0 x4 oraz pamięci UFS 4.0 stosowanych w flagowych smartfonach. Firma planuje rozpocząć masową produkcję w pierwszej połowie 2025 roku, a więc wtedy należy spodziewać się więcej informacji.
Najnowsze Komentarze