Micron ogłosił pierwsze dostawy swoich układów pamięci UFS 4.0 dla nowoczesnych smartfonów. Oferują one szybsze uruchamianie systemu, przyśpieszone wczytywanie aplikacji i sprawniejsze przetwarzanie wideo.
Nowe chipy są zbudowane na 232-warstwowej pamięci 3D NAND firmy Micron i oferują pojemność do 1 TB. Producent twierdzi również, że jego „wysoce konfigurowalne oprogramowanie układowe” w połączeniu z ulepszeniami technologicznymi zapewnia niezrównaną wydajność dla flagowych smartfonów.
Nowa pamięć Micron trafi do urządzeń, które wymagają pamięci o niskim poborze mocy, takich jak samochody i smartfony
Układy UFS 4.0 firmy Micron wykorzystują technologię TLC o 100% zwiększonej przepustowości zapisu i 75% zwiększonej przepustowości odczytu, co przekłada się na prędkości zapisu sekwencyjnego do 4000 MB/s i odczytu sekwencyjnego do 4300 MB/s. Micron chwali się swoją nową sześciopłaszczyznową architekturą NAND, która zwiększa przepustowość odczytu losowego, co jest kluczową specyfikacją dla krótszych czasów ładowania. Architektura ta będzie dostępna w urządzeniach wykorzystujących układy UFS 4.0 o pojemności 512 GB i 1 TB, ponieważ konfiguracja 256 GB wykorzystuje czteropłaszczyznową pamięć NAND.
Nie chodzi jednak wyłącznie o szybkość. Nowa pamięć obiecuje 25% wzrost efektywności energetycznej, zapewniając, że smartfon nie będzie szybciej rozładowywał baterii z powodu wzrostu wydajności. Klienci mogą oczekiwać o 15% szybszego uruchamiania aplikacji, o 20% szybszego rozruchu i o 25% lepszej wydajności energetycznej w porównaniu z rozwiązaniami pamięci masowej UFS 3.1. Ponadto Micron zapewnia o 10% niższym opóźnieniu przy zapisie w porównaniu z tym, co oferują inni producenci.
Firma obiecuje rozpocząć masową produkcję swoich nowych układów pamięci UFS 4.0 w drugiej połowie 2023 roku, oferując producentom smartfonów trzy konfiguracje pamięci masowej: 256 GB, 512 GB i 1 TB.
Najnowsze Komentarze