SK hynix, znany na całym świecie południowokoreański producent pamięci DRAM oraz NAND, rozpoczął dostarczanie kości w technologii LPDDR5T producentom smartfonów.
Jak ujawnił SK hynix w komunikacie prasowym, LPDDR5T oznacza kolejne ulepszenie standardu DRAM, tym razem zwiększając wydajność do 9,6 Gbps na pin. Dla porównania najwydajniejsze do tej pory rozwiązanie, standard LPDDR5X, oferuje do 8,5 Gbps na pin. Kolejny skokiem wydajności będzie zapewne dopiero technologia LPDDR6.
LPDDR5T ma być odpowiedzią na rosnące potrzeby związane z AI
Nowe pakiety LPDDR5T o pojemności 16 GB pracują w zakresie ultra-niskiego napięcia od 1,01 do 1,12 V, zgodnego z wytycznymi JEDEC. Mogą one przetwarzać 77 GB danych na sekundę, co równa się przesyłaniu ok. 15 filmów Full HD w ciągu jednej sekundy.
Na razie jedyną potwierdzoną implementacją LPDDR5T są nadchodzące smartfony vivo X100 i X100 Pro, które będą wyposażone również w układy MediaTek Dimensity 9300. Według Myoungsoo Park, wiceprezesa SK hynix, „smartfony stają się niezbędnymi urządzeniami do wdrażania technologii sztucznej inteligencji”, a zatem istnieje „rosnące zapotrzebowanie na wysokowydajną, mobilną pamięć DRAM o dużej pojemności”, którą zaspokaja LPDDR5T.
Oczywiście, pamięć nie będzie dostępna wyłącznie dla urządzeń z procesorami MediaTek. LPDDR5T przeszedł również wcześniej weryfikację kompatybilności z układami Snapdragon firmy Qualcomm. Ponieważ SK hynix twierdzi, że osiągnęli kompatybilność ze wszystkimi głównymi partnerami, najprawdopodobniej zobaczymy tę iterację mobilnej pamięci DRAM w większości flagowych smartfonów nowej generacji, do czasu pojawienia się LPDDR6.
Najnowsze Komentarze