Branża półprzewodnikowa zdaje się mierzyć obecnie z poważnym problemem – jak zmieścić więcej układów na krzemowym waflu. Tajwańczycy wydają się być najbliżej rozwiązania.
Rozwój sztucznej inteligencji przyniósł nie tylko szereg możliwości zaangażowania jej w celu ułatwienia produkcji półprzewodników, z czego skwapliwie skorzystał m.in. Samsung, ale również sporo wyzwań. Najpoważniejszym z nich jest fakt, że chipy stają się fizycznie coraz większe, przez co można zmieścić ich znacznie mniej na jednym substracie. To oczywiście przekłada się na większe koszty produkcji oraz potencjalne problemy z uzyskiem. Na szczęście wygląda na to, że znaleziono rozwiązanie tego problemu – CoPoS.
Technologia CoPoS to potencjalna żyła złota
CoPoS to następca technologii CoWoS, która pozwala na tworzenie wafli o znacznie większej powierzchni. Podczas gdy obecne, okrągłe warianty posiadają nawet 55% niewykorzystanej powierzchni, to w nowym prostokątnym wydaniu spadnie ona do zaledwie 19%. Produkowane w takim kształcie panele mogą być też znacznie większe – początkowo mowa o 310 × 310 mm, a później nawet o 750 × 620 mm. Umożliwiają one też zastąpienie krzemowych substratów znacznie bardziej przyszłościowymi szklanymi lub szafirowymi odpowiednikami.
Pierwsza pilotażowa linia produkująca układy w technologii CoPoS ma zostać uruchomiona już w 2026 roku, podczas gdy w 2028 ma już pracować ona na pełnych obrotach. Na początek odpowiadać za nią będzie tajwański zakład w Jiayi, ale z czasem produkcja ruszy również w fabryce znajdującej się w Arizonie (USA). Jeśli chodzi o potencjalnych klientów, to pierwsza w kolejce jest NVIDIA, które chętnie skorzysta z możliwości tej technologii w swoich akceleratorach sztucznej inteligencji.
Najnowsze Komentarze