Gigant z Korei Południowej ma ambitne plany – najpierw 300, a później 1000 warstw w układach V-NAND. Jeśli jednak do tego ma dojść, musi najpierw pokonać konkurentów.
Samsung wydaje się być w fazie przygotowań do wyprzedzenia SK hynix w wyścigu o pierwszeństwo w osiągnięciu pamięci NAND o ponad 300 warstwach. Informacje te pochodzą z doniesień z Korei Południowej. Według ekskluzywnego artykułu opublikowanego w Seoul Economic Daily, Samsung planuje wprowadzić do masowej produkcji układy V-NAND składający się z 300 warstw już w 2024 roku.
Pomimo ambitnych planów Samsung zostaje w tyle za SK hynix
Taka innowacja mogłaby umożliwić Samsungowi wyprzedzenie SK hynix nawet o rok, o ile firma będzie w stanie zapewnić odpowiednią dostępność. Obecnie najbardziej zaawansowane układy produkowane przez Samsunga składają się z 236 warstw, co przebija produkty Micron i YMTC o cztery warsty, ale to nadal o dwie mniej niż u SK hynix.
Warto podkreślić fakt, że Samsung wydaje się mieć inną strategię niż SK hynix, gdy chodzi o konstrukcję kości pamięci. Podczas gdy SK hynix wybiera podejście trzystosowe, Samsung zdecydował się pozostać przy dwóch stosach. To oznacza, że firma kieruje swoje wysiłki ku osiągnięciu ponad 150 warstw pamięci NAND na każdy stos. To podejście niesie ze sobą pewne ryzyko pod względem uzysku. Im wyższe stosy, tym większa potencjalna szansa uszkodzenia, jednak być może Samsung znalazł sposób na rozwiązanie tego problemu.
Nowoczesne pamięci 3D NAND opierają się na technologii Through Silicon Vias, która ułatwia tworzenie gęstszych stosów niż kiedykolwiek wcześniej. Mimo to, ta innowacja niesie ze sobą pewne ryzyko dla Samsunga. W kontekście obecnego niskiego popytu na rynku i informacji o cięciach produkcji, może to być dobry moment dla firmy, aby wykorzystać swoje zakłady produkcyjne do przetestowania nowej, bardziej zwartej pamięci NAND i sprawdzenia, czy jest możliwe jej masowe wytwarzanie bez trudności.
Plan Samsunga zakłada stworzenie produktu V-NAND o ponad 1000 warstwach do 2030 roku. Niemniej jednak wydaje się, że droga do osiągnięcia tego celu jest nadal długa i skomplikowana, nawet pomimo postępów w dziedzinie technologii pamięci.
Najnowsze Komentarze